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製程/矽智財簡介

製程名稱：
AISOC,28 nm CMOS LOGIC High Performance Mobile Computing ELK Cu 1P8M 0.9&1.8V
製程簡介：
This is the TSMC 28nm High Performance Mobile Computing (HPM) technology. This technology provides high performance for mobile applications and it is ideal for many applications from networking, high speed, and high-end mobile devices.
It provides the logic shuttle with 0.9V core design, 1.8V I/O, 1P8M (1 poly, 8 metal layers) BEOL option, ELK, Cu technology. The process supports multi-threshold voltage MOS devices, standard cell libraries, and TSMC I/O. (Note: not support UTM)

各類製程晶片提供服務列表一
代號 製程分類 製程技術 提供廠商 Full-Custom Cell-Based MEMS Multi-option-MEMS
TN16FFC CMOS 16 nm TSMC V V - -
TN28HPCplu CMOS 28nm TSMC V V - -
AISOC CMOS 28nm TSMC - V - -
TN40G CMOS 40 nm TSMC V V - -
TN90GUTM CMOS 90 nm TSMC V V - -
T18 CMOS 0.18 um TSMC V V - -
U18 CMOS 0.18 um UMC V V V -
D35 CMOS 0.35 um TSMC V V - V
SiGe18 BiCMOS 0.18 um TSMC V - - -
P15 GaAs 0.15 um WIN V - - -
GaN25 GaN 0.25 um WIN V - - -
T18HVG2 CMOS 0.18 um TSMC V V - -
T50UHV CMOS 0.5 um TSMC V - - -
IMEC-SiPh SiPhotonics 0.13 um IMEC V - - -
註1：表一中的"-"表示不提供該製程Cell-based/MEMS/Multi-option-MEMS之服務。


各類製程晶片提供服務列表二
代號 製程分類 製程技術 提供廠商 書審面積上限 教育性晶片
面積限制
TN16FFC CMOS 16 nm TSMC - -
TN28HPCplu CMOS 28nm TSMC - -
AISOC CMOS 28nm TSMC - -
TN40G CMOS 40 nm TSMC - -
TN90GUTM CMOS 90 nm TSMC 1 -
T18 CMOS 0.18 um TSMC 無限制 1.2 x 1.2
U18 CMOS 0.18 um UMC 無限制 1.5 x 1.5
U18MEMS CMOS-MEMS 0.18 um UMC 無限制 1.5 x 1.5
D35 CMOS 0.35 um TSMC 無限制 1.5 x 1.5
Multi-option-MEMS35 Post Process 0.35 um TSMC/APM 無限制 1.5 x 1.5
SiGe18 BiCMOS 0.18 um TSMC 無限制 1.2 x 1.2
P15 GaAs 0.15 um WIN 無限制 等於1x1或1.5x1
GaN25 GaN 0.25um WIN 2.25 1 x 1
T18HVG2 CMOS 0.18 um TSMC 無限制 1.5 x 1
T50UHV CMOS 0.5 um TSMC 無限制 2.5
註1：上表中的"-"表示該製程不適用書面審查方式或無教育性晶片。
註2：面積限制部份，長度單位為mm，面積單位為mm*mm。